
FGH40T65UPD ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40T65UPD ON Semiconductor / Fairchild
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 43 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/144ns, Switching Energy: 1.59mJ (on), 580µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 177 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGH40T65UPD
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH40T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FGH40T65UPD | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/144ns Switching Energy: 1.59mJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 177 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W |
товару немає в наявності |