FGH4L50T65MQDC50 ON Semiconductor
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 478.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH4L50T65MQDC50 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 246W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 100A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Field Stop IV Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FGH4L50T65MQDC50 за ціною від 310.55 грн до 821.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH4L50T65MQDC50 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Field Stop IV Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH4L50T65MQDC50 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FS 650V 100A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 246 W |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH4L50T65MQDC50 | Виробник : onsemi |
IGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGH4L50T65MQDC50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGH4L50T65MQDC50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |