FGH4L50T65MQDC50 onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 751.34 грн |
10+ | 653.52 грн |
25+ | 623.18 грн |
100+ | 507.79 грн |
450+ | 442.18 грн |
1350+ | 385.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH4L50T65MQDC50 onsemi
Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 246W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Field Stop IV Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FGH4L50T65MQDC50 за ціною від 396.23 грн до 854.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH4L50T65MQDC50 | Виробник : onsemi | IGBT Transistors 650V 50A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L) |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGH4L50T65MQDC50 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Field Stop IV Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGH4L50T65MQDC50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGH4L50T65MQDC50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |