FGH4L50T65MQDC50 onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT FS 650V 100A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 637.34 грн |
| 10+ | 477.35 грн |
| 25+ | 443.37 грн |
| 100+ | 381.06 грн |
| 450+ | 355.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH4L50T65MQDC50 onsemi
Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Verlustleistung: 246W, SVHC: Lead (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 100A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Field Stop IV Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FGH4L50T65MQDC50
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH4L50T65MQDC50 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Verlustleistung: 246W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Field Stop IV Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FGH4L50T65MQDC50 | onsemi |
IGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGH4L50T65MQDC50 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 246W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 246W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FGH4L50T65MQDC50 |
|
Виробник: onsemi
IGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT
IGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)