FGH4L50T65SQD ON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 302.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH4L50T65SQD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns, Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 92 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGH4L50T65SQD за ціною від 144.05 грн до 480.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH4L50T65SQD | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 268 W |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH4L50T65SQD | Виробник : onsemi |
IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH4L50T65SQD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|