Продукція > ONSEMI > FGH4L50T65SQD
FGH4L50T65SQD

FGH4L50T65SQD onsemi

fgh4l50t65sqd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns
Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.94 грн
10+216.44 грн
30+196.34 грн
120+167.44 грн
270+160.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH4L50T65SQD onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns, Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 92 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.

Інші пропозиції FGH4L50T65SQD за ціною від 158.30 грн до 335.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH4L50T65SQD FGH4L50T65SQD Виробник : ON Semiconductor fgh4l50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+321.24 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQD FGH4L50T65SQD Виробник : ONSEMI 3672836.pdf Description: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.17 грн
10+185.76 грн
100+158.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQD FGH4L50T65SQD Виробник : onsemi FGH4L50T65SQD-D.PDF IGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.