FGH4L50T65SQD onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns
Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.90 грн |
| 10+ | 221.89 грн |
| 30+ | 201.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH4L50T65SQD onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns, Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 92 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGH4L50T65SQD за ціною від 158.59 грн до 341.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH4L50T65SQD | onsemi |
IGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGH4L50T65SQD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FGH4L50T65SQD |
|
Виробник: onsemi
IGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
IGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 318.23 грн |
| 10+ | 216.42 грн |
| 120+ | 162.81 грн |
| 1020+ | 158.59 грн |
| FGH4L50T65SQD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 341.25 грн |
| 10+ | 189.13 грн |
| 100+ | 161.17 грн |