FGH4L75T65MQDC50 ON Semiconductor


fgh4l75t65mqdc50d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
IGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop IV, MQ Medium Speed
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
450+582.57 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH4L75T65MQDC50 ON Semiconductor

Description: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns, Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 146 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 385 W.

Інші пропозиції FGH4L75T65MQDC50 за ціною від 324.33 грн до 794.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGH4L75T65MQDC50 FGH4L75T65MQDC50 onsemi fgh4l75t65mqdc50-d.pdf Description: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.36 грн
30+457.63 грн
120+390.19 грн
510+324.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50 FGH4L75T65MQDC50 onsemi fgh4l75t65mqdc50-d.pdf IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50 ONSEMI fgh4l75t65mqdc50-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 110A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
90+524.18 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50 fgh4l75t65mqdc50-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+794.36 грн
30+457.63 грн
120+390.19 грн
510+324.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50 fgh4l75t65mqdc50-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50 fgh4l75t65mqdc50-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 110A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+524.18 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.