Продукція > ONSEMI > FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155

FGH50T65SQD-F155 onsemi

fgh50t65sqd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.40 грн
30+206.37 грн
120+171.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH50T65SQD-F155 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns, Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.

Інші пропозиції FGH50T65SQD-F155 за ціною від 149.34 грн до 488.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+406.87 грн
3+340.25 грн
4+260.55 грн
10+245.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 Виробник : onsemi / Fairchild fgh50t65sqd-d.pdf IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.28 грн
10+384.10 грн
30+214.08 грн
120+176.56 грн
510+150.08 грн
1020+149.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.24 грн
3+424.01 грн
4+312.66 грн
10+295.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.