FGH50T65SQD-F155 ON Semiconductor
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 148+ | 208.42 грн |
| 500+ | 198.20 грн |
| 1000+ | 186.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH50T65SQD-F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns, Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGH50T65SQD-F155 за ціною від 146.94 грн до 507.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH50T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH50T65SQD-F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off) Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 99 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 268 W |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGH50T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH50T65SQD-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH50T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 99nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGH50T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 99nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH50T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGH50T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGH50T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |