Технічний опис FGH50T65SQD-F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns, Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGH50T65SQD-F155 за ціною від 121.26 грн до 355.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH50T65SQD-F155 | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH50T65SQD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH50T65SQD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 9406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH50T65SQD-F155 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 134W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH50T65SQD-F155 | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off) Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 99 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 268 W |
на замовлення 35009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH50T65SQD-F155 | onsemi |
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGH50T65SQD-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 211.39 грн |
| FGH50T65SQD-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 212.06 грн |
| FGH50T65SQD-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 147+ | 240.00 грн |
| 500+ | 227.13 грн |
| 1000+ | 215.42 грн |
| FGH50T65SQD-F155 |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 306.88 грн |
| 3+ | 256.13 грн |
| 10+ | 226.48 грн |
| 30+ | 204.25 грн |
| 120+ | 189.42 грн |
| FGH50T65SQD-F155 |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 35009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 355.62 грн |
| 30+ | 192.96 грн |
| 120+ | 159.94 грн |
| 510+ | 127.39 грн |
| 1020+ | 121.26 грн |
| FGH50T65SQD-F155 |
|
Виробник: onsemi
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)