 
FGH50T65UPD ON Semiconductor
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 90+ | 347.60 грн | 
| 100+ | 330.06 грн | 
| 500+ | 312.53 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH50T65UPD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 340 W. 
Інші пропозиції FGH50T65UPD за ціною від 205.85 грн до 582.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FGH50T65UPD | Виробник : onsemi |  Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 340 W | на замовлення 3373 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | FGH50T65UPD | Виробник : onsemi / Fairchild |  IGBTs 650 V 100 A 240 W | на замовлення 101 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | FGH50T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |  Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||
|   | FGH50T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |  Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||
| FGH50T65UPD | Виробник : ONSEMI |  Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 170W Pulsed collector current: 150A Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 230nC | товару немає в наявності |