
FGH50T65UPD ON Semiconductor
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
90+ | 342.64 грн |
100+ | 325.36 грн |
500+ | 308.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH50T65UPD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 340 W.
Інші пропозиції FGH50T65UPD за ціною від 235.89 грн до 619.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH50T65UPD | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 340 W |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH50T65UPD | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH50T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FGH50T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FGH50T65UPD | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 170W Kind of package: tube Gate charge: 230nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 150A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
FGH50T65UPD | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 170W Kind of package: tube Gate charge: 230nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 150A Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |