на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 546.27 грн |
| 10+ | 509.77 грн |
| 30+ | 286.22 грн |
| 120+ | 248.80 грн |
| 510+ | 232.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH50T65UPD onsemi / Fairchild
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 340 W.
Інші пропозиції FGH50T65UPD за ціною від 261.09 грн до 558.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH50T65UPD | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 340 W |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGH50T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FGH50T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FGH50T65UPD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 170W Gate charge: 230nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 150A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FGH50T65UPD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 170W Gate charge: 230nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 150A Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |