
FGH50T65UPD onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 531.91 грн |
30+ | 296.34 грн |
120+ | 248.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH50T65UPD onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 340 W.
Інші пропозиції FGH50T65UPD за ціною від 232.65 грн до 605.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH50T65UPD | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH50T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FGH50T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FGH50T65UPD | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Gate charge: 230nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
FGH50T65UPD | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Gate charge: 230nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A |
товару немає в наявності |