Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGH50T65UPD
FGH50T65UPD

FGH50T65UPD ON Semiconductor

fgh50t65upd-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+393.32 грн
100+373.60 грн
500+353.88 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH50T65UPD ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 340 W.

Інші пропозиції FGH50T65UPD за ціною від 222.03 грн до 529.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH50T65UPD FGH50T65UPD Виробник : onsemi fgh50t65upd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.90 грн
30+279.74 грн
120+234.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD FGH50T65UPD Виробник : onsemi fgh50t65upd-d.pdf IGBTs 650 V 100 A 240 W
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.40 грн
10+302.41 грн
120+222.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD FGH50T65UPD Виробник : ON Semiconductor fgh50t65upd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD Виробник : ON Semiconductor FGH50T65UPD-D.pdf Транзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 100 А, Pmax, Вт = 340, tз, мс = 32, Uce(on), В = 2,3, Р, Вт = 340, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 160,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPD Виробник : ONSEMI fgh50t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 150A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 230nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.