Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGH60T65SQD-F155
FGH60T65SQD-F155

FGH60T65SQD-F155 ON Semiconductor

fgh60t65sqd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+256.84 грн
500+243.59 грн
1000+229.32 грн
10000+208.35 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH60T65SQD-F155 ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns, Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 333 W.

Інші пропозиції FGH60T65SQD-F155 за ціною від 178.84 грн до 500.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH60T65SQD-F155 FGH60T65SQD-F155 Виробник : onsemi fgh60t65sqd-f155-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns
Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.12 грн
30+250.72 грн
120+209.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 FGH60T65SQD-F155 Виробник : ONSEMI 2619991.pdf Description: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+496.06 грн
10+483.36 грн
100+292.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 FGH60T65SQD-F155 Виробник : onsemi fgh60t65sqd-f155-d.pdf IGBTs 650V 60A FS4 TRENCH
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.05 грн
10+488.57 грн
30+246.00 грн
120+205.25 грн
510+178.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155
Код товару: 166613
Додати до обраних Обраний товар

fgh60t65sqd-f155-d.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh60t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 FGH60T65SQD-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh60t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 FGH60T65SQD-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh60t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 Виробник : ONSEMI fgh60t65sqd-f155-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 Виробник : ONSEMI fgh60t65sqd-f155-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.