FGH75T65SHDT-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns
Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 521.26 грн |
| 30+ | 288.55 грн |
| 120+ | 241.64 грн |
| 510+ | 194.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SHDT-F155 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns, Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 455 W.
Інші пропозиції FGH75T65SHDT-F155 за ціною від 212.61 грн до 553.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V FS3 Trench IGBT |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |