FGH75T65SHDT-F155 onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns
Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 478.14 грн |
| 30+ | 264.90 грн |
| 120+ | 221.85 грн |
| 510+ | 178.58 грн |
| 1020+ | 178.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SHDT-F155 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns, Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 455 W.
Інші пропозиції FGH75T65SHDT-F155 за ціною від 202.99 грн до 554.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH75T65SHDT-F155 | onsemi |
IGBTs 650V FS3 Trench IGBT |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
FGH75T65SHDT-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FGH75T65SHDT-F155 |
|
Виробник: onsemi
IGBTs 650V FS3 Trench IGBT
IGBTs 650V FS3 Trench IGBT
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 502.42 грн |
| 10+ | 285.31 грн |
| 120+ | 202.99 грн |
| FGH75T65SHDT-F155 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 554.23 грн |
| 10+ | 319.05 грн |
| 100+ | 292.74 грн |