Інші пропозиції FGH75T65SHDT_F155 за ціною від 194.52 грн до 553.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 455 W |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
FGH75T65SHDT-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |