FGH75T65SHDTL4 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTL4 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 498.47 грн |
| 10+ | 474.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SHDTL4 ONSEMI
Description: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns, Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 126 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 455 W.
Інші пропозиції FGH75T65SHDTL4 за ціною від 225.12 грн до 543.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 455 W |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |