
FGH75T65SHDTL4 onsemi / Fairchild
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 531.26 грн |
10+ | 440.06 грн |
30+ | 293.12 грн |
120+ | 246.43 грн |
270+ | 226.53 грн |
510+ | 221.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SHDTL4 onsemi / Fairchild
Description: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns, Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 126 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 455 W.
Інші пропозиції FGH75T65SHDTL4 за ціною від 263.28 грн до 565.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 455 W |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
FGH75T65SHDTL4 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |