FGH75T65SQD-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 414.53 грн |
| 30+ | 316.42 грн |
| 120+ | 271.21 грн |
| 510+ | 226.24 грн |
| 1020+ | 193.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SQD-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A.
Інші пропозиції FGH75T65SQD-F155 за ціною від 187.6 грн до 475.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT |
на замовлення 3775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |