FGH75T65SQD-F155 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 511.68 грн |
| 10+ | 509.20 грн |
| 100+ | 302.88 грн |
| 500+ | 226.07 грн |
| 1000+ | 198.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SQD-F155 ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FGH75T65SQD-F155 за ціною від 224.38 грн до 537.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off) Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT |
на замовлення 2184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |