FGH75T65SQD-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 530.12 грн |
| 30+ | 293.43 грн |
| 120+ | 245.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SQD-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 150A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FGH75T65SQD-F155 за ціною від 215.30 грн до 565.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT |
на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| FGH75T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |