Продукція > ONSEMI > FGH75T65SQD-F155
FGH75T65SQD-F155

FGH75T65SQD-F155 onsemi

fgh75t65sqd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+475.76 грн
30+263.25 грн
120+220.43 грн
510+177.40 грн
1020+176.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH75T65SQD-F155 onsemi

Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 150A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FGH75T65SQD-F155 за ціною від 201.58 грн до 555.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FGH75T65SQD-F155 FGH75T65SQD-F155 onsemi fgh75t65sqd-d.pdf IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.13 грн
10+282.88 грн
120+205.81 грн
510+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 FGH75T65SQD-F155 ONSEMI fgh75t65sqd-d.pdf Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.05 грн
10+319.05 грн
100+267.25 грн
500+242.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 ON Semiconductor fgh75t65sqd-d.pdf
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
FGH75T65SQD-F155
Виробник: onsemi
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+499.13 грн
10+282.88 грн
120+205.81 грн
510+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
FGH75T65SQD-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+555.05 грн
10+319.05 грн
100+267.25 грн
500+242.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155 fgh75t65sqd-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.