FGH75T65SQD-F155 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 99+ | 359.48 грн |
| 104+ | 341.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
99 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SQD-F155 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: -, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 150A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FGH75T65SQD-F155 за ціною від 176.09 грн до 473.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 71100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH75T65SQD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 130773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH75T65SQD-F155 | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off) Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH75T65SQD-F155 | onsemi |
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FGH75T65SQD-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGH75T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 99+ | 359.48 грн |
| 104+ | 341.80 грн |
| 500+ | 324.12 грн |
| 1000+ | 294.36 грн |
| 10000+ | 256.77 грн |
| FGH75T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 99+ | 359.48 грн |
| 104+ | 341.80 грн |
| 500+ | 324.12 грн |
| 1000+ | 294.36 грн |
| 10000+ | 256.77 грн |
| FGH75T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 473.42 грн |
| 30+ | 262.14 грн |
| 120+ | 219.49 грн |
| 510+ | 176.64 грн |
| 1020+ | 176.09 грн |
| FGH75T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FGH75T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





