Продукція > ONSEMI > FGH75T65SQDNL4
FGH75T65SQDNL4

FGH75T65SQDNL4 onsemi

fgh75t65sqdnl4-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+661.51 грн
30+ 462.11 грн
120+ 381.86 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH75T65SQDNL4 onsemi

Description: 650V/75 FAST IGBT FSIII T, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns, Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 152 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції FGH75T65SQDNL4 за ціною від 310.7 грн до 739.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : onsemi FGH75T65SQDNL4_D-2313340.pdf IGBT Transistors 650V/75 FAST IGBT
на замовлення 449 шт:
термін постачання 1207-1216 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+718.91 грн
10+ 624.18 грн
25+ 405.91 грн
100+ 368.52 грн
250+ 343.82 грн
450+ 341.15 грн
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : ONSEMI 2711363.pdf Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+739.19 грн
5+ 576.67 грн
10+ 413.41 грн
50+ 367.88 грн
100+ 325.46 грн
250+ 310.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQDNL4 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdnl4-d.pdf
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdnl4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdnl4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdnl4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній