
FGH75T65SQDNL4 ON Semiconductor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
59+ | 519.56 грн |
100+ | 498.21 грн |
500+ | 476.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SQDNL4 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns, Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 152 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції FGH75T65SQDNL4 за ціною від 322.57 грн до 724.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 134 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 152 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
FGH75T65SQDNL4 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |