Технічний опис FGH75T65SQDNL4 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns, Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 152 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції FGH75T65SQDNL4 за ціною від 324.92 грн до 676.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH75T65SQDNL4 | onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 134 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 152 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGH75T65SQDNL4 | onsemi |
IGBTs 650V/75 FAST IGBT |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGH75T65SQDNL4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FGH75T65SQDNL4 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGH75T65SQDNL4 |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 640.69 грн |
| 30+ | 426.53 грн |
| 120+ | 383.24 грн |
| FGH75T65SQDNL4 |
|
Виробник: onsemi
IGBTs 650V/75 FAST IGBT
IGBTs 650V/75 FAST IGBT
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 672.64 грн |
| 10+ | 458.77 грн |
| 120+ | 357.35 грн |
| 510+ | 327.04 грн |
| 1020+ | 324.92 грн |
| FGH75T65SQDNL4 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 676.75 грн |
| 5+ | 573.14 грн |
| 10+ | 468.71 грн |
| 50+ | 400.11 грн |
| 100+ | 350.30 грн |
| 250+ | 331.27 грн |
| FGH75T65SQDNL4 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)