Продукція > ONSEMI > FGH75T65SQDNL4
FGH75T65SQDNL4

FGH75T65SQDNL4 onsemi

fgh75t65sqdnl4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+721.11 грн
30+411.48 грн
120+349.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH75T65SQDNL4 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns, Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 152 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції FGH75T65SQDNL4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 onsemi fgh75t65sqdnl4-d.pdf IGBTs 650V/75 FAST IGBT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 ONSEMI 2711363.pdf Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 fgh75t65sqdnl4-d.pdf
FGH75T65SQDNL4
Виробник: onsemi
IGBTs 650V/75 FAST IGBT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 2711363.pdf
FGH75T65SQDNL4
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.