FGH75T65SQDNL4

FGH75T65SQDNL4 ON Semiconductor


fgh75t65sqdnl4-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+519.56 грн
100+498.21 грн
500+476.86 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH75T65SQDNL4 ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns, Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 152 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції FGH75T65SQDNL4 за ціною від 322.57 грн до 724.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : onsemi fgh75t65sqdnl4-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+697.93 грн
30+464.60 грн
120+417.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : ONSEMI 2711363.pdf Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+703.14 грн
5+684.16 грн
10+664.35 грн
50+391.60 грн
100+342.38 грн
250+322.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : onsemi fgh75t65sqdnl4-d.pdf IGBTs 650V/75 FAST IGBT
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+724.40 грн
10+675.14 грн
30+414.92 грн
120+370.78 грн
1020+364.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdnl4-d.pdf
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdnl4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdnl4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 FGH75T65SQDNL4 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdnl4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 Виробник : ONSEMI fgh75t65sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4 Виробник : ONSEMI fgh75t65sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.