Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGH75T65SQDT-F155
FGH75T65SQDT-F155

FGH75T65SQDT-F155 ON Semiconductor

fgh75t65sqdt-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+240.74 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH75T65SQDT-F155 ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns, Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 128 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції FGH75T65SQDT-F155 за ціною від 195.11 грн до 543.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+325.59 грн
100+312.40 грн
500+299.22 грн
1000+272.88 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 Виробник : ONSEMI 2357023.pdf Description: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+381.19 грн
10+332.61 грн
100+284.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 Виробник : onsemi fgh75t65sqdt-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.17 грн
30+289.64 грн
120+242.60 грн
510+195.33 грн
1020+195.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 Виробник : onsemi fgh75t65sqdt-d.pdf IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.70 грн
10+489.52 грн
30+286.22 грн
510+246.59 грн
1020+213.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 Виробник : ON Semiconductor fgh75t65sqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 Виробник : ONSEMI fgh75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT_F155 FGH75T65SQDT_F155 Виробник : onsemi fgh75t65sqdt-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155 Виробник : ONSEMI fgh75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.