FGH75T65SQDT-F155 ON Semiconductor
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 241.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65SQDT-F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns, Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 128 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції FGH75T65SQDT-F155 за ціною від 195.58 грн до 524.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH75T65SQDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGH75T65SQDT-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGH75T65SQDT-F155 | Виробник : onsemi |
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGH75T65SQDT-F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGH75T65SQDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FGH75T65SQDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
FGH75T65SQDT_F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FGH75T65SQDT-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |