FGH75T65UPD-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 682.51 грн |
| 5+ | 640.52 грн |
| 10+ | 598.54 грн |
| 50+ | 395.24 грн |
| 100+ | 352.84 грн |
| 250+ | 340.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65UPD-F085 ONSEMI
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 578 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 375 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FGH75T65UPD-F085 за ціною від 334.66 грн до 735.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH75T65UPD-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH75T65UPD-F085 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 578 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 375 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FGH75T65UPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FGH75T65UPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FGH75T65UPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FGH75T65UPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 385nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| FGH75T65UPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 385nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |