Продукція > ONSEMI > FGH75T65UPD-F085
FGH75T65UPD-F085

FGH75T65UPD-F085 onsemi

FGH75T65UP_F085-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 578 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+656.58 грн
30+374.24 грн
120+358.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH75T65UPD-F085 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 578 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 375 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FGH75T65UPD-F085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UPD-F085 onsemi FGH75T65UP_F085-D.PDF IGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UPD-F085 ONSEMI 2608793.pdf Description: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 ON Semiconductor FGH75T65UP_F085-D.PDF
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
FGH75T65UPD-F085
Виробник: onsemi
IGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 2608793.pdf
FGH75T65UPD-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.