Продукція > ONSEMI > FGH75T65UPD-F155

FGH75T65UPD-F155 onsemi

Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/216ns
Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
450+	248.68 грн

Мінімальне замовлення: 450

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FGH75T65UPD-F155 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/216ns, Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.6mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 68 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції FGH75T65UPD-F155

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FGH75T65UPD-F155	Виробник : ON Semiconductor	Field Stop Trench IGBT Chip Transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FGH75T65UPD-F155	Виробник : onsemi	IGBTs 650V,75A Field Stop Trench IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FGH75T65UPD-F155	Виробник : ONSEMI	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 385nC Kind of package: tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.