FGH75T65UPD ON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 240.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH75T65UPD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 385 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції FGH75T65UPD за ціною від 215.99 грн до 595.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH75T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH75T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH75T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH75T65UPD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 385 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 375 W |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH75T65UPD | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V 150A 187W |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FGH75T65UPD | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Replacement: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155; FGH75T65UPD TO247AB TFGH75T65upd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
FGH75T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FGH75T65UPD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FGH75T65UPD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 385nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| FGH75T65UPD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 385nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |