Продукція > ONSEMI > FGHL40T120RWD
FGHL40T120RWD

FGHL40T120RWD ONSEMI

ONSM-S-A0019251361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL40T120RWD - IGBT, 80 A, 1.49 V, 600 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.49V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+544.69 грн
5+505.90 грн
10+467.11 грн
50+393.13 грн
100+348.03 грн
250+333.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL40T120RWD ONSEMI

Description: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 248 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns, Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 174 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 600 W.

Інші пропозиції FGHL40T120RWD за ціною від 227.76 грн до 667.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGHL40T120RWD FGHL40T120RWD Виробник : onsemi fghl40t120rwd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 248 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 7862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.94 грн
30+325.90 грн
120+274.56 грн
510+227.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD FGHL40T120RWD Виробник : onsemi fghl40t120rwd-d.pdf IGBTs 1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.75 грн
10+647.22 грн
30+337.68 грн
120+284.71 грн
510+261.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD Виробник : ON Semiconductor fghl40t120rwd-d.pdf 1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD Виробник : ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD Виробник : ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.