Продукція > ONSEMI > FGHL40T65MQDT
FGHL40T65MQDT

FGHL40T65MQDT ONSEMI

3672837.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+369.29 грн
10+202.98 грн
100+189.34 грн
500+163.14 грн
1000+139.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL40T65MQDT ONSEMI

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 86 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns, Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W.

Інші пропозиції FGHL40T65MQDT за ціною від 149.01 грн до 384.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT Виробник : onsemi fghl40t65mqdt-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.49 грн
30+204.35 грн
120+169.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT Виробник : onsemi FGHL40T65MQDT-D.PDF IGBTs IGBT - 650 V 40 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.95 грн
10+200.22 грн
120+161.18 грн
510+149.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT Виробник : ON Semiconductor fghl40t65mqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT Виробник : ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.