Продукція > ONSEMI > FGHL40T65MQDT
FGHL40T65MQDT

FGHL40T65MQDT onsemi

fghl40t65mqdt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.08 грн
30+208.29 грн
120+172.49 грн
510+137.26 грн
1020+130.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL40T65MQDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 86 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns, Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W.

Інші пропозиції FGHL40T65MQDT за ціною від 145.61 грн до 423.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT Виробник : ONSEMI 3672837.pdf Description: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+385.12 грн
10+211.68 грн
100+197.45 грн
500+170.13 грн
1000+145.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT Виробник : onsemi fghl40t65mqdt-d.pdf IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 4
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.64 грн
10+234.33 грн
100+168.88 грн
450+168.08 грн
900+155.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT Виробник : ON Semiconductor fghl40t65mqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT Виробник : ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.