Продукція > ONSEMI > FGHL40T65MQDT
FGHL40T65MQDT

FGHL40T65MQDT onsemi

fghl40t65mqdt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.82 грн
30+ 216.7 грн
120+ 185.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL40T65MQDT onsemi

Description: FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 86 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns, Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W.

Інші пропозиції FGHL40T65MQDT за ціною від 134.16 грн до 336.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT Виробник : onsemi FGHL40T65MQDT_D-3150167.pdf IGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+307.66 грн
10+ 254.89 грн
25+ 208.96 грн
100+ 179.59 грн
250+ 169.57 грн
450+ 159.56 грн
900+ 136.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT Виробник : ONSEMI 3672837.pdf Description: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+336.27 грн
10+ 238.91 грн
100+ 193.97 грн
500+ 169.68 грн
1000+ 134.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGHL40T65MQDT Виробник : ON Semiconductor fghl40t65mqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товар відсутній