
FGHL50T65MQD ON Semiconductor
на замовлення 82750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
132+ | 234.52 грн |
500+ | 225.30 грн |
1000+ | 211.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGHL50T65MQD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 32 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGHL50T65MQD за ціною від 155.44 грн до 455.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGHL50T65MQD | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 268 W |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGHL50T65MQD | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FGHL50T65MQD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
FGHL50T65MQD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FGHL50T65MQD | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Gate charge: 94nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
FGHL50T65MQD | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Gate charge: 94nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |