Продукція > ONSEMI > FGHL50T65MQD
FGHL50T65MQD

FGHL50T65MQD onsemi

FGHL50T65MQD-D.PDF Виробник: onsemi
Description: IGBT 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+314.15 грн
10+ 253.97 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL50T65MQD onsemi

Description: IGBT 650V 50A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 32 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.

Інші пропозиції FGHL50T65MQD за ціною від 142.2 грн до 340.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGHL50T65MQD FGHL50T65MQD Виробник : onsemi FGHL50T65MQD_D-2313251.pdf IGBT Transistors 650 V 50 A FS4
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+340.37 грн
10+ 281.77 грн
25+ 243.68 грн
100+ 237 грн
250+ 207.63 грн
450+ 176.25 грн
900+ 142.2 грн
FGHL50T65MQD Виробник : ON Semiconductor fghl50t65mqd-d.pdf 650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній