FGHL50T65MQD ON Semiconductor
на замовлення 82750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 132+ | 236.20 грн |
| 500+ | 226.92 грн |
| 1000+ | 213.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGHL50T65MQD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 32 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGHL50T65MQD за ціною від 158.11 грн до 438.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGHL50T65MQD | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 268 W |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGHL50T65MQD | Виробник : onsemi |
IGBTs 650 V 50 A FS4 |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FGHL50T65MQD | Виробник : ON Semiconductor |
650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
FGHL50T65MQD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FGHL50T65MQD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 200A Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 94nC |
товару немає в наявності |