Продукція > ONSEMI > FGHL50T65MQDT
FGHL50T65MQDT

FGHL50T65MQDT onsemi

fghl50t65mqdt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.98 грн
30+233.62 грн
120+194.50 грн
510+155.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL50T65MQDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 79 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns, Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.

Інші пропозиції FGHL50T65MQDT за ціною від 165.81 грн до 478.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGHL50T65MQDT FGHL50T65MQDT Виробник : ONSEMI 3672838.pdf Description: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+445.45 грн
10+237.81 грн
100+220.06 грн
500+187.87 грн
1000+165.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT FGHL50T65MQDT Виробник : onsemi FGHL50T65MQDT-D.PDF IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 5
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.03 грн
10+262.89 грн
100+189.05 грн
450+168.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT Виробник : ON Semiconductor fghl50t65mqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT FGHL50T65MQDT Виробник : ON Semiconductor fghl50t65mqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDT Виробник : ONSEMI fghl50t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.