Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGHL50T65MQDTL4
FGHL50T65MQDTL4

FGHL50T65MQDTL4 ON Semiconductor

fghl50t65mqdtl4-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+321.57 грн
10+284.03 грн
25+270.67 грн
50+252.93 грн
100+231.84 грн
250+214.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL50T65MQDTL4 ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 79 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns, Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.

Інші пропозиції FGHL50T65MQDTL4 за ціною від 158.36 грн до 437.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGHL50T65MQDTL4 FGHL50T65MQDTL4 ON Semiconductor fghl50t65mqdtl4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+321.57 грн
50+284.03 грн
53+270.67 грн
54+252.93 грн
100+231.84 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4 FGHL50T65MQDTL4 onsemi fghl50t65mqdtl4-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns
Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 3809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.18 грн
10+283.24 грн
450+173.69 грн
900+158.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4 FGHL50T65MQDTL4 ONSEMI 3672839.pdf Description: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4 FGHL50T65MQDTL4 onsemi fghl50t65mqdtl4-d.pdf IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4 fghl50t65mqdtl4-d.pdf
FGHL50T65MQDTL4
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+321.57 грн
50+284.03 грн
53+270.67 грн
54+252.93 грн
100+231.84 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4 fghl50t65mqdtl4-d.pdf
FGHL50T65MQDTL4
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns
Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 3809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+437.18 грн
10+283.24 грн
450+173.69 грн
900+158.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4 3672839.pdf
FGHL50T65MQDTL4
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4 fghl50t65mqdtl4-d.pdf
FGHL50T65MQDTL4
Виробник: onsemi
IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.