
FGHL50T65SQDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 448.04 грн |
30+ | 245.66 грн |
120+ | 204.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGHL50T65SQDT onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns, Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99.7 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGHL50T65SQDT за ціною від 184.66 грн до 479.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGHL50T65SQDT | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGHL50T65SQDT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FGHL50T65SQDT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FGHL50T65SQDT | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 134W Gate charge: 99.7nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
FGHL50T65SQDT | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 134W Gate charge: 99.7nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A |
товару немає в наявності |