FGHL50T65SQDT onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 459.57 грн |
| 30+ | 251.98 грн |
| 120+ | 210.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGHL50T65SQDT onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns, Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99.7 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGHL50T65SQDT за ціною від 179.60 грн до 465.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGHL50T65SQDT | Виробник : onsemi |
IGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGHL50T65SQDT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FGHL50T65SQDT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FGHL50T65SQDT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Gate charge: 99.7nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FGHL50T65SQDT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 134W Kind of package: tube Gate charge: 99.7nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 200A Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |