Продукція > ONSEMI > FGHL50T65SQDT
FGHL50T65SQDT

FGHL50T65SQDT onsemi

fghl50t65sqdt-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+420.61 грн
30+230.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL50T65SQDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns, Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99.7 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W.

Інші пропозиції FGHL50T65SQDT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT onsemi fghl50t65sqdt-d.pdf IGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT ONSEMI fghl50t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT ONSEMI 3005710.pdf Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT ON Semiconductor fghl50t65sqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
FGHL50T65SQDT
Виробник: onsemi
IGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT 3005710.pdf
FGHL50T65SQDT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT fghl50t65sqdt-d.pdf
FGHL50T65SQDT
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.