Продукція > ONSEMI > FGHL60T120RWD
FGHL60T120RWD

FGHL60T120RWD onsemi


fghl60t120rwd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 257 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/250ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 256 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.85 грн
30+509.36 грн
120+455.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL60T120RWD onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 1200V 120A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 257 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 51ns/250ns, Switching Energy: 4.5mJ (on), 3.4mJ (off), Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 256 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 833 W.

Інші пропозиції FGHL60T120RWD за ціною від 353.96 грн до 793.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGHL60T120RWD FGHL60T120RWD Виробник : ONSEMI 4018410.pdf Description: ONSEMI - FGHL60T120RWD - IGBT, 120 A, 1.48 V, 833 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.48V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+771.01 грн
5+742.30 грн
10+712.74 грн
50+452.46 грн
100+385.81 грн
250+353.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWD FGHL60T120RWD Виробник : onsemi fghl60t120rwd-d.pdf IGBTs 1200V/60A FS7 IGBT SCR TO247
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+793.94 грн
10+470.95 грн
120+408.77 грн
510+365.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWD FGHL60T120RWD Виробник : ON Semiconductor fghl60t120rwd-d.pdf Trans IGBTChip N-CH 1200V 120A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWD Виробник : ONSEMI fghl60t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWD Виробник : ONSEMI fghl60t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.