Продукція > ONSEMI > FGHL75T65LQDT
FGHL75T65LQDT

FGHL75T65LQDT onsemi

fghl75t65lqdt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns
Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 793 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+610.68 грн
10+407.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL75T65LQDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 152 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns, Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 793 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 469 W.

Інші пропозиції FGHL75T65LQDT за ціною від 274.27 грн до 641.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGHL75T65LQDT FGHL75T65LQDT Виробник : onsemi FGHL75T65LQDT-D.PDF IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+619.52 грн
10+430.18 грн
120+274.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT FGHL75T65LQDT Виробник : ONSEMI 3672840.pdf Description: ONSEMI - FGHL75T65LQDT - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+641.84 грн
5+548.69 грн
10+454.67 грн
50+421.40 грн
100+383.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT FGHL75T65LQDT Виробник : ON Semiconductor fghl75t65lqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT Виробник : ONSEMI fghl75t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.