Продукція > ONSEMI > FGHL75T65LQDT
FGHL75T65LQDT

FGHL75T65LQDT onsemi

fghl75t65lqdt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns
Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 793 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.42 грн
10+ 387.63 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL75T65LQDT onsemi

Description: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 152 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns, Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 793 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 469 W.

Інші пропозиції FGHL75T65LQDT за ціною від 247.68 грн до 536.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGHL75T65LQDT FGHL75T65LQDT Виробник : onsemi FGHL75T65LQDT_D-3150235.pdf IGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+510.95 грн
10+ 431.48 грн
25+ 340.48 грн
100+ 311.78 грн
250+ 293.75 грн
450+ 275.06 грн
900+ 247.68 грн
FGHL75T65LQDT FGHL75T65LQDT Виробник : ONSEMI 3672840.pdf Description: ONSEMI - FGHL75T65LQDT - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+536.23 грн
5+ 459.09 грн
10+ 381.95 грн
50+ 340.07 грн
100+ 299.78 грн
250+ 282.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65LQDT FGHL75T65LQDT Виробник : ON Semiconductor fghl75t65lqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товар відсутній