FGHL75T65LQDTL4 onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 779 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 577.30 грн |
| 30+ | 325.52 грн |
| 120+ | 274.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGHL75T65LQDTL4 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 87 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns, Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 779 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 469 W.
Інші пропозиції FGHL75T65LQDTL4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGHL75T65LQDTL4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V Verlustleistung: 469W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FGHL75T65LQDTL4 | onsemi |
IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGHL75T65LQDTL4 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FGHL75T65LQDTL4 |
|
Виробник: onsemi
IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)