Продукція > ONSEMI > FGHL75T65MQDT
FGHL75T65MQDT

FGHL75T65MQDT onsemi

fghl75t65mqdt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.03 грн
10+ 351.19 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL75T65MQDT onsemi

Description: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns, Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.25mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції FGHL75T65MQDT за ціною від 195.15 грн до 485.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGHL75T65MQDT FGHL75T65MQDT Виробник : onsemi FGHL75T65MQDT_D-2905881.pdf IGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+471.22 грн
10+ 390.02 грн
25+ 320.45 грн
100+ 274.39 грн
250+ 259.03 грн
450+ 243.68 грн
900+ 208.3 грн
FGHL75T65MQDT FGHL75T65MQDT Виробник : ONSEMI 3672842.pdf Description: ONSEMI - FGHL75T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+485.3 грн
10+ 350.5 грн
100+ 283.09 грн
500+ 246.88 грн
1000+ 195.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65MQDT FGHL75T65MQDT Виробник : ON Semiconductor fghl75t65mqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товар відсутній