Продукція > ONSEMI > FGHL75T65MQDTL4
FGHL75T65MQDTL4

FGHL75T65MQDTL4 onsemi

fghl75t65mqdtl4-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/181ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+508.02 грн
30+283.37 грн
120+238.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGHL75T65MQDTL4 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/181ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції FGHL75T65MQDTL4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGHL75T65MQDTL4 FGHL75T65MQDTL4 ONSEMI 3672843.pdf Description: ONSEMI - FGHL75T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTL4 FGHL75T65MQDTL4 onsemi fghl75t65mqdtl4-d.pdf IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTL4 3672843.pdf
FGHL75T65MQDTL4
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL75T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTL4 fghl75t65mqdtl4-d.pdf
FGHL75T65MQDTL4
Виробник: onsemi
IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.