
FGP10N60UNDF ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 43.31 грн |
100+ | 40.89 грн |
500+ | 35.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGP10N60UNDF ON Semiconductor
Description: IGBT NPT 600V 20A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns, Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 37 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 139 W.
Інші пропозиції FGP10N60UNDF за ціною від 63.33 грн до 102.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGP10N60UNDF | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 139W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FGP10N60UNDF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FGP10N60UNDF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FGP10N60UNDF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FGP10N60UNDF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FGP10N60UNDF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 139 W |
товару немає в наявності |