Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGP10N60UNDF
FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF ON Semiconductor

3663440396897075fgp10n60undf.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.45 грн
100+47.64 грн
500+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGP10N60UNDF ON Semiconductor

Description: IGBT NPT 600V 20A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns, Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 37 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 139 W.

Інші пропозиції FGP10N60UNDF за ціною від 71.41 грн до 119.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Виробник : ONSEMI fgp10n60undf-d.pdf ONSM-S-A0003586911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 20 A, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003586911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FGP10N60UNDF - IGBT, 600V, 10A,
Packaging: Bulk
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+84.79 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Виробник : ON Semiconductor 3663440396897075fgp10n60undf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+103.71 грн
138+89.29 грн
500+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Виробник : ON Semiconductor 3663440396897075fgp10n60undf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+119.56 грн
10+111.12 грн
100+95.67 грн
500+73.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Виробник : ON Semiconductor fgp10n60undf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF Виробник : onsemi fgp10n60undf-d.pdf Description: IGBT NPT 600V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns
Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 139 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.