Продукція > ONSEMI > FGY100T120RWD
FGY100T120RWD

FGY100T120RWD onsemi

fgy100t120rwd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT FS 1200V 200A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 347 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/364ns
Switching Energy: 8.13mJ (on), 7.05mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 427 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 1495 W
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.56 грн
30+554.72 грн
120+476.61 грн
510+435.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGY100T120RWD onsemi

Description: IGBT FS 1200V 200A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 347 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 80ns/364ns, Switching Energy: 8.13mJ (on), 7.05mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 427 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 1495 W.

Інші пропозиції FGY100T120RWD за ціною від 487.08 грн до 1085.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGY100T120RWD FGY100T120RWD Виробник : onsemi fgy100t120rwd-d.pdf IGBTs 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+977.54 грн
10+586.66 грн
120+487.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T120RWD FGY100T120RWD Виробник : ONSEMI 3935293.pdf Description: ONSEMI - FGY100T120RWD - IGBT, 200 A, 1.43 V, 1.495 kW, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.495kW
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1085.97 грн
5+874.00 грн
10+661.20 грн
50+600.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T120RWD Виробник : ONN fgy100t120rwd-d.pdf
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T120RWD FGY100T120RWD Виробник : ON Semiconductor fgy100t120rwd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 1495W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T120RWD Виробник : ONSEMI fgy100t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 535W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 535W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 427nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.