на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 880.40 грн |
| 10+ | 520.00 грн |
| 120+ | 415.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY100T120SWD onsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 100A, Power dissipation: 433W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 400A, Mounting: THT, Gate charge: 284nC, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FGY100T120SWD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
FGY100T120SWD Код товару: 213125
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||
| FGY100T120SWD | Виробник : ON Semiconductor |
 IGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII |
товару немає в наявності |
||
| FGY100T120SWD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 100A Power dissipation: 433W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| FGY100T120SWD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 433W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 100A Power dissipation: 433W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |