на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 682.29 грн |
| 10+ | 669.07 грн |
| 30+ | 418.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY100T65SCDT onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/216ns, Switching Energy: 5.4mJ (on), 3.8mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 157 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 750 W.
Інші пропозиції FGY100T65SCDT за ціною від 416.55 грн до 713.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGY100T65SCDT | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/216ns Switching Energy: 5.4mJ (on), 3.8mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 157 nC Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 750 W |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FGY100T65SCDT | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 234 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
FGY100T65SCDT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
FGY100T65SCDT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| FGY100T65SCDT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 100A Pulsed collector current: 300A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 375W Kind of package: tube Gate charge: 157nC Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| FGY100T65SCDT | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 100A Pulsed collector current: 300A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 375W Kind of package: tube Gate charge: 157nC Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |