
FGY120T65SPD-F085 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns
Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 162 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A
Power - Max: 882 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1190.84 грн |
30+ | 707.46 грн |
120+ | 611.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY120T65SPD-F085 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns, Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 162 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A, Power - Max: 882 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FGY120T65SPD-F085 за ціною від 627.49 грн до 1268.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 882W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 378A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 441W Gate charge: 162nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 378A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 441W Gate charge: 162nC |
товару немає в наявності |