Продукція > ONSEMI > FGY120T65SPD
FGY120T65SPD

FGY120T65SPD onsemi


fgy120t65spd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: FS3 IGBT 650V/120A AND STEALTH D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/80ns
Switching Energy: 6.6mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 187 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 714 W
на замовлення 422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.45 грн
10+362.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGY120T65SPD onsemi

Description: FS3 IGBT 650V/120A AND STEALTH D, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/80ns, Switching Energy: 6.6mJ (on), 3.8mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 187 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 714 W.

Інші пропозиції FGY120T65SPD за ціною від 247.84 грн до 589.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGY120T65SPD FGY120T65SPD Виробник : onsemi FGY120T65SPD-F085-D.PDF IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND STEALTH DIODE
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.03 грн
10+398.84 грн
120+296.95 грн
510+247.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.