FGY160T65SPD-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FGY160T65SPD-F085 - IGBT, N-Kanal, 240 A, 1.6 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1161.67 грн |
| 5+ | 1019.24 грн |
| 10+ | 876.81 грн |
| 50+ | 778.25 грн |
| 100+ | 688.75 грн |
| 250+ | 675.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY160T65SPD-F085 ONSEMI
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 132 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns, Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off), Test Condition: 400V, 160A, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 882 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FGY160T65SPD-F085 за ціною від 556.59 грн до 1282.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGY160T65SPD-F085 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 132 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off) Test Condition: 400V, 160A, 15V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 882 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 32870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGY160T65SPD-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGY160T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FGY160T65SPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 160A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 163nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FGY160T65SPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 160A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 163nC |
товару немає в наявності |