FGY40T120SMD ON Semiconductor
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 679.16 грн |
| 1500+ | 653.33 грн |
| 3000+ | 645.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY40T120SMD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 882 W.
Інші пропозиції FGY40T120SMD за ціною від 421.73 грн до 1015.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGY40T120SMD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY40T120SMD - IGBT, 80 A, 1.8 V, 882 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 882W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGY40T120SMD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 882 W |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGY40T120SMD | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs IGBT, 1200 V, 40 A Field Stop Trench |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGY40T120SMD Код товару: 212048
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882000mW 3-Pin(3+Tab) Power TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FGY40T120SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 441W Case: TO247H03 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |



