FGY40T120SMD
Код товару: 212048
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGY40T120SMD за ціною від 406.02 грн до 940.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGY40T120SMD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY40T120SMD - IGBT, 80 A, 1.8 V, 882 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 882W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGY40T120SMD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 882 W |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGY40T120SMD | Виробник : onsemi |
IGBTs FS2TIGBT TO247 40A 1200V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGY40T120SMD | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs IGBT, 1200 V, 40 A Field Stop Trench |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGY40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FGY40T120SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 441W Case: TO247H03 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |