Продукція > ONSEMI > FGY60T120SQDN
FGY60T120SQDN

FGY60T120SQDN onsemi

fgy60t120sqdn-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 120A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 517 W
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+862.76 грн
30+499.18 грн
120+426.51 грн
510+379.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGY60T120SQDN onsemi

Description: IGBT 1200V 120A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns, Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 311 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 517 W.

Інші пропозиції FGY60T120SQDN за ціною від 441.47 грн до 923.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGY60T120SQDN FGY60T120SQDN Виробник : onsemi FGY60T120SQDN-D.PDF IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 60A
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+923.32 грн
10+549.26 грн
120+441.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN FGY60T120SQDN Виробник : ON Semiconductor fgy60t120sqdn-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 517000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN Виробник : ON Semiconductor fgy60t120sqdn-d.pdf
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN Виробник : ONSEMI fgy60t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 311nC
Power dissipation: 259W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.