FGY60T120SQDN onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT 1200V 120A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 517 W
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 904.44 грн |
| 30+ | 523.06 грн |
| 120+ | 446.89 грн |
| 510+ | 397.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY60T120SQDN onsemi
Description: IGBT 1200V 120A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns, Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 311 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 517 W.
Інші пропозиції FGY60T120SQDN за ціною від 453.52 грн до 944.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGY60T120SQDN | Виробник : onsemi |
IGBTs IGBT 1200V 60A UFS |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGY60T120SQDN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 517000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| FGY60T120SQDN | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| FGY60T120SQDN | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 60A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 311nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FGY60T120SQDN | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 60A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 311nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |