Продукція > ONSEMI > FGY60T120SQDN
FGY60T120SQDN

FGY60T120SQDN ONSEMI

fgy60t120sqdn-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
Kind of package: tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+750.70 грн
3+664.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGY60T120SQDN ONSEMI

Description: IGBT 1200V 120A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns, Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 311 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 517 W.

Інші пропозиції FGY60T120SQDN за ціною від 390.34 грн до 949.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGY60T120SQDN FGY60T120SQDN Виробник : onsemi fgy60t120sqdn-d.pdf Description: IGBT 1200V 120A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns
Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 517 W
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+887.32 грн
30+513.39 грн
120+438.65 грн
510+390.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN FGY60T120SQDN Виробник : ONSEMI fgy60t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.84 грн
3+827.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN FGY60T120SQDN Виробник : onsemi FGY60T120SQDN-D.PDF IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 60A
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+949.61 грн
10+564.90 грн
120+454.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN FGY60T120SQDN Виробник : ON Semiconductor fgy60t120sqdn-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 517000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN Виробник : ON Semiconductor fgy60t120sqdn-d.pdf
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.