на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 852.29 грн |
| 30+ | 531.31 грн |
| 120+ | 424.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY60T120SQDN onsemi
Description: IGBT 1200V 120A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns, Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 311 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 517 W.
Інші пропозиції FGY60T120SQDN за ціною від 387.71 грн до 881.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGY60T120SQDN | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT 1200V 120A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 52ns/296ns Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 311 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 517 W |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGY60T120SQDN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 517000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| FGY60T120SQDN | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FGY60T120SQDN | Виробник : ONSEMI |
FGY60T120SQDN THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |