Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGY75T120SQDN за ціною від 381.76 грн до 807.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGY75T120SQDN | ONSEMI |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3 Collector current: 75A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 395W Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 399nC |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
FGY75T120SQDN | onsemi |
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 399 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 790 W |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FGY75T120SQDN | onsemi |
IGBTs IGBT 1200V 75A UFS |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FGY75T120SQDN |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 395W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 395W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 748.12 грн |
| FGY75T120SQDN |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns
Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 399 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 790 W
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns
Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 399 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 790 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 782.07 грн |
| 30+ | 451.49 грн |
| 120+ | 385.31 грн |
| FGY75T120SQDN |
|
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 75A UFS
IGBTs IGBT 1200V 75A UFS
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 807.81 грн |
| 10+ | 476.34 грн |
| 120+ | 381.76 грн |