Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGY75T120SQDN за ціною від 384.39 грн до 786.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGY75T120SQDN | Виробник : onsemi |
 IGBTs IGBT 1200V 75A UFS |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGY75T120SQDN | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 395W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 399nC Kind of package: tube |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGY75T120SQDN | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 399 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 790 W |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGY75T120SQDN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FGY75T120SQDN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |