Продукція > ONSEMI > FGY75T120SQDN
FGY75T120SQDN

FGY75T120SQDN ONSEMI

fgy75t120sqdn-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+859.26 грн
2+724.64 грн
4+685.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGY75T120SQDN ONSEMI

Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 99 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns, Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 399 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 790 W.

Інші пропозиції FGY75T120SQDN за ціною від 530.21 грн до 1056.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Виробник : ONSEMI fgy75t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1031.11 грн
2+903.01 грн
4+822.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Виробник : onsemi fgy75t120sqdn-d.pdf Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns
Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 399 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 790 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1056.78 грн
30+617.88 грн
120+530.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN
Код товару: 198781
Додати до обраних Обраний товар

fgy75t120sqdn-d.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Виробник : ON Semiconductor fgy75t120sqdn-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Виробник : ON Semiconductor fgy75t120sqdn-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Виробник : ON Semiconductor fgy75t120sqdn-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN Виробник : onsemi FGY75T120SQDN-D.PDF IGBTs IGBT 1200V 75A UFS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.