FGY75T120SWD onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 307 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns
Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 503 W
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 561.84 грн |
| 30+ | 320.28 грн |
| 120+ | 311.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY75T120SWD onsemi
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 307 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns, Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 214 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 503 W.
Інші пропозиції FGY75T120SWD за ціною від 311.96 грн до 663.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGY75T120SWD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGY75T120SWD - IGBT, 150 A, 1.68 V, 503 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 503W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop VII Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGY75T120SWD | Виробник : onsemi |
IGBTs 1200V, 75A Field Stop VII Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGY75T120SWD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 503W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGY75T120SWD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 503W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FGY75T120SWD | Виробник : ON Semiconductor |
1200V, 75A Field Stop VII Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FGY75T120SWD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 214nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FGY75T120SWD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 214nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |