на замовлення 450 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 644.14 грн |
| 10+ | 544.34 грн |
| 25+ | 429.28 грн |
| 100+ | 394.56 грн |
| 250+ | 370.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY75T120SWD onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 307 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns, Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 214 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 503 W.
Інші пропозиції FGY75T120SWD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGY75T120SWD | Виробник : ON Semiconductor |
 1200V, 75A Field Stop VII Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging |
товар відсутній |
|
 |
FGY75T120SWD | Виробник : ON Semiconductor |
1200V, 75A Field Stop VII Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging |
товар відсутній |
|
 |
FGY75T120SWD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 307 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 214 nC Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 503 W |
товар відсутній |