Продукція > ONSEMI > FGY75T120SWD
FGY75T120SWD

FGY75T120SWD onsemi

fgy75t120swd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 307 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns
Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 503 W
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.22 грн
30+332.46 грн
120+323.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGY75T120SWD onsemi

Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 307 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/171ns, Switching Energy: 5mJ (on), 2.32mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 214 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 503 W.

Інші пропозиції FGY75T120SWD за ціною від 350.26 грн до 658.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGY75T120SWD FGY75T120SWD Виробник : onsemi FGY75T120SWD-D.PDF IGBTs 1200V, 75A Field Stop VII Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.65 грн
10+362.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWD FGY75T120SWD Виробник : ONSEMI 3935294.pdf Description: ONSEMI - FGY75T120SWD - IGBT, 150 A, 1.68 V, 503 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+658.79 грн
5+546.57 грн
10+434.34 грн
50+395.36 грн
100+357.61 грн
250+350.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWD FGY75T120SWD Виробник : ON Semiconductor fgy75t120swd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 503W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWD FGY75T120SWD Виробник : ON Semiconductor fgy75t120swd-d.pdf 1200V, 75A Field Stop VII Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SWD Виробник : ONSEMI fgy75t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 214nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.