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Технічний опис FII30-06D IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - FII30-06D - IGBT-Modul, H-Brücke, 30 A, 1.9 V, 100 W, 150 °C, i4-PAC, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9, Dauer-Kollektorstrom: 30, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9, Verlustleistung Pd: 100, Verlustleistung: 100, Bauform - Transistor: i4-PAC, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600, Anzahl der Pins: 5, Produktpalette: ISOPLUS, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, IGBT-Konfiguration: H-Brücke, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 30, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції FII30-06D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FII30-06D | IXYS |
Description: IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A IGBT Type: NPT Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Through Hole Package / Case: i4-Pac™-5 Packaging: Tube |
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FII30-06D | IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - FII30-06D - IGBT-Modul, H-Brücke, 30 A, 1.9 V, 100 W, 150 °C, i4-PACIGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9 Dauer-Kollektorstrom: 30 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9 Verlustleistung Pd: 100 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: i4-PAC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: ISOPLUS Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 IGBT-Konfiguration: H-Brücke Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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| FII30-06D |
Виробник: IXYS
Description: IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
Description: IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
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| FII30-06D |
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Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - FII30-06D - IGBT-Modul, H-Brücke, 30 A, 1.9 V, 100 W, 150 °C, i4-PAC
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9
Dauer-Kollektorstrom: 30
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
Verlustleistung Pd: 100
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: i4-PAC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: ISOPLUS
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - FII30-06D - IGBT-Modul, H-Brücke, 30 A, 1.9 V, 100 W, 150 °C, i4-PAC
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9
Dauer-Kollektorstrom: 30
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
Verlustleistung Pd: 100
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: i4-PAC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: ISOPLUS
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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