Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FJA4210OTU
FJA4210OTU

FJA4210OTU ON Semiconductor

fja4210jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+139.51 грн
10+ 132.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJA4210OTU ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції FJA4210OTU за ціною від 143.92 грн до 202.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FJA4210OTU FJA4210OTU Виробник : onsemi FJA4210.pdf Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.93 грн
10+ 175.67 грн
100+ 143.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJA4210OTU FJA4210OTU Виробник : ON Semiconductor fja4210jp-d.pdf Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA4210OTU FJA4210OTU Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS27393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
FJA4210OTU FJA4210OTU Виробник : onsemi / Fairchild FJA4210_D-2313690.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
товар відсутній