Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FJA4210OTU
FJA4210OTU

FJA4210OTU ON Semiconductor

fja4210jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+181.20 грн
10+172.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJA4210OTU ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P, Power - Max: 100 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-3P, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FJA4210OTU за ціною від 155.85 грн до 219.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FJA4210OTU FJA4210OTU onsemi FJA4210.pdf Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.76 грн
10+190.23 грн
100+155.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJA4210OTU FJA4210OTU ONSEMI 2907280.pdf Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJA4210OTU FJA4210.pdf
FJA4210OTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.76 грн
10+190.23 грн
100+155.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJA4210OTU 2907280.pdf
FJA4210OTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.