FJA4213OTU ON Semiconductor
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 116+ | 107.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJA4213OTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJA4213OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 17A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJA4213, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FJA4213OTU за ціною від 114.74 грн до 514.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FJA4213OTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FJA4213OTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FJA4213OTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJA4213OTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJA4213OTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJA4213OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 17A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJA4213 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJA4213OTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FJA4213OTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W |
товару немає в наявності |