FJA4213RTU onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJA4213RTU onsemi
Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P, Power - Max: 130 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Current - Collector (Ic) (Max): 17 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-3P, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FJA4213RTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FJA4213RTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FJA4213RTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)