FJA4313OTU onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 17A TO3PN
Power - Max: 130 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PN
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 7A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 302.31 грн |
| 30+ | 230.44 грн |
| 120+ | 197.52 грн |
| 510+ | 164.77 грн |
| 1020+ | 141.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJA4313OTU onsemi
Description: ONSEMI - FJA4313OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 130W, SVHC: Lead (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 17A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJA4313, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FJA4313OTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FJA4313OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJA4313OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 17A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJA4313 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FJA4313OTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FJA4313OTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJA4313OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 17A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJA4313
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FJA4313OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 17A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJA4313
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FJA4313OTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)