FJL4315OTU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 425.66 грн |
| 100+ | 350.01 грн |
| 250+ | 346.62 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
34 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJL4315OTU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 250V 17A TO-264-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-264-3, Current - Collector (Ic) (Max): 17 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції FJL4315OTU за ціною від 172.93 грн до 508.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FJL4315OTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 17A TO-264-3Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-264-3 Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FJL4315OTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 6061 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FJL4315OTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 17A TO-264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-3
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS NPN 250V 17A TO-264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-3
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 468.69 грн |
| 25+ | 264.70 грн |
| 100+ | 220.01 грн |
| 500+ | 172.93 грн |
| FJL4315OTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 508.10 грн |
| 10+ | 294.21 грн |
| 100+ | 201.86 грн |





