Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FJP13007H2TU
FJP13007H2TU

FJP13007H2TU ON Semiconductor

fjp13007-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
314+112.69 грн
500+101.42 грн
1000+93.52 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJP13007H2TU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJP13007, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FJP13007H2TU за ціною від 46.38 грн до 158.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FJP13007H2TU FJP13007H2TU ON Semiconductor fjp13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.69 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU ON Semiconductor fjp13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.69 грн
500+101.42 грн
1000+93.52 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU onsemi fjp13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.50 грн
50+74.63 грн
100+67.04 грн
500+50.41 грн
1000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU onsemi fjp13007-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU ONSEMI FJP13007-D.PDF Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJP13007
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU fjp13007-d.pdf
FJP13007H2TU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
314+112.69 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU fjp13007-d.pdf
FJP13007H2TU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
314+112.69 грн
500+101.42 грн
1000+93.52 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU fjp13007-d.pdf
FJP13007H2TU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.50 грн
50+74.63 грн
100+67.04 грн
500+50.41 грн
1000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU fjp13007-d.pdf
FJP13007H2TU
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007-D.PDF
FJP13007H2TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJP13007
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.