FJP13007H2TU ON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 314+ | 101.89 грн |
| 500+ | 91.70 грн |
| 1000+ | 84.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJP13007H2TU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJP13007, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FJP13007H2TU за ціною від 52.28 грн до 178.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FJP13007H2TU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FJP13007H2TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJP13007H2TU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 5...60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FJP13007H2TU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 5...60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJP13007H2TU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJP13007 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJP13007H2TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJP13007H2TU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJP13007H2TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |