Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FJP13007H2TU
FJP13007H2TU

FJP13007H2TU ON Semiconductor

fjp13007d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
328+112.38 грн
500+101.14 грн
1000+93.28 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 328 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJP13007H2TU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJP13007, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FJP13007H2TU за ціною від 48.39 грн до 196.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FJP13007H2TU FJP13007H2TU ON Semiconductor fjp13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+112.38 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU ON Semiconductor fjp13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+112.38 грн
500+101.14 грн
1000+93.28 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU ONSEMI FJP13007H2TU.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 5...60
Frequency: 4MHz
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.79 грн
5+99.12 грн
10+86.30 грн
12+81.18 грн
33+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU onsemi fjp13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.29 грн
50+84.99 грн
100+76.35 грн
500+57.40 грн
1000+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU onsemi fjp13007-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 126 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+196.12 грн
10+94.05 грн
100+74.21 грн
500+58.99 грн
1000+54.22 грн
2000+53.76 грн
5000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU ONSEMI FJP13007-D.PDF Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJP13007
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU fjp13007d.pdf
FJP13007H2TU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
328+112.38 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU fjp13007d.pdf
FJP13007H2TU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
328+112.38 грн
500+101.14 грн
1000+93.28 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007H2TU.PDF
FJP13007H2TU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 5...60
Frequency: 4MHz
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.79 грн
5+99.12 грн
10+86.30 грн
12+81.18 грн
33+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU fjp13007-d.pdf
FJP13007H2TU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.29 грн
50+84.99 грн
100+76.35 грн
500+57.40 грн
1000+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU fjp13007-d.pdf
FJP13007H2TU
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 126 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.12 грн
10+94.05 грн
100+74.21 грн
500+58.99 грн
1000+54.22 грн
2000+53.76 грн
5000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FJP13007H2TU FJP13007-D.PDF
FJP13007H2TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJP13007
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.