FJP13009H2TU Fairchild
Код товару: 125281
7
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: TO-220
Гранична частота fT: 4 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 400 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 700 В
Струм колектора Ic, А: 12 А
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 42.00 грн |
| 10+ | 37.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FJP13009H2TU за ціною від 77.75 грн до 237.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FJP13009H2TU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FJP13009H2TU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FJP13009H2TU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FJP13009H2TU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FJP13009H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Mounting: THT Collector-emitter voltage: 400V Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 15...40 Kind of package: tube Case: TO220AB Frequency: 4MHz Collector current: 12A |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FJP13009H2TU | onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 100 W |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FJP13009H2TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP13009H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
FJP13009H2TU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FJP13009H2TU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FJP13009H2TU | ON-Semiconductor |
NPN 12A 400V 2W 4MHz FJP13009 TMJE13009 faiкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FJP13009H2TU | ON-Semiconductor |
NPN 12A 400V 2W 4MHz FJP13009 TMJE13009 faiкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 94.55 грн |
| 50+ | 93.60 грн |
| 100+ | 89.69 грн |
| 500+ | 77.75 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 94.55 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 100.50 грн |
| 250+ | 90.12 грн |
| 500+ | 84.92 грн |
| 1000+ | 79.17 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 127.01 грн |
| 500+ | 114.31 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 15...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 4MHz
Collector current: 12A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 15...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 4MHz
Collector current: 12A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 157.69 грн |
| 5+ | 113.34 грн |
| 10+ | 97.62 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.37 грн |
| 50+ | 114.81 грн |
| 100+ | 103.82 грн |
| 500+ | 79.36 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP13009H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FJP13009H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FJP13009H2TU |
![]() |
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 80.14 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 80.14 грн |
З цим товаром купують
| ST13007A (біполярний транзистор NPN) Код товару: 26412
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 700 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 700 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 40
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 700 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 700 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 40
Монтаж: THT
у наявності: 363 шт
- 293 шт - склад
- 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 32.00 грн |
| 10+ | 28.50 грн |
| 100+ | 25.90 грн |
| MJE13009F (біполярний транзистор NPN) Код товару: 104845
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
Гранична частота fT: 4 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 400 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 700 В
Струм колектора Ic, А: 12 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
Гранична частота fT: 4 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 400 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 700 В
Струм колектора Ic, А: 12 А
Монтаж: THT
у наявності: 190 шт
- 169 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 2SC945 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 28879
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 450 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 600
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 450 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 600
Монтаж: THT
у наявності: 358 шт
- 137 шт - склад
- 123 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 98 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| TL494CN Код товару: 36468
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 7...40 В
Iвих., А: 200 мА
Частота Fosc, кГц: 300 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 7...40 В
Iвих., А: 200 мА
Частота Fosc, кГц: 300 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
у наявності: 324 шт
- 263 шт - склад
- 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 13 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
- 20 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
| 470uF 25V ESX 10x16mm (low imp.) (ESX471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 153905
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 10x16 мм
Строк служби: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 10x16 мм
Строк служби: 5000 годин
у наявності: 10 шт
- 10 шт - склад
очікується: 2000 шт
- 2000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |










