FJP1943RTU ON Semiconductor
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 82.11 грн |
| 10+ | 79.57 грн |
| 100+ | 74.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJP1943RTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJP1943RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 55hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FJP1943RTU за ціною від 79.94 грн до 193.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FJP1943RTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJP1943RTU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 17A, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJP1943RTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 230V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJP1943RTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP1943RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 55hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJP1943RTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
| FJP1943RTU | Виробник : ONSEMI |
FJP1943RTU PNP THT transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
FJP1943RTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP -250V -17A 80W Silicon |
товар відсутній |