Технічний опис FJP1943RTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJP1943RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FJP1943RTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FJP1943RTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP1943RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 80 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FJP1943RTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| FJP1943RTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP1943RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FJP1943RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FJP1943RTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)