Продукція > ONSEMI > FJP3305H2TU
FJP3305H2TU

FJP3305H2TU onsemi

fjp3305-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 257000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
820+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 820
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJP3305H2TU onsemi

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 75 W.

Інші пропозиції FJP3305H2TU за ціною від 31.57 грн до 88.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FJP3305H2TU FJP3305H2TU Виробник : onsemi / Fairchild FJP3305_D-2313307.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trans
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.57 грн
10+ 70.61 грн
100+ 48.61 грн
500+ 41.15 грн
1000+ 32.9 грн
2500+ 32.03 грн
5000+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
FJP3305H2TU FJP3305H2TU Виробник : ON Semiconductor fjp3305cn-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FJP3305H2TU FJP3305H2TU Виробник : onsemi fjp3305-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній
FJP3305H2TU FJP3305H2TU Виробник : ONSEMI fjp3305-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Frequency: 4MHz
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 400V
товар відсутній