Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FJP5027OTU за ціною від 32.98 грн до 89.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJP5027OTU | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 71800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJP5027OTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3 Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 15MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FJP5027OTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 71800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJP5027OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
FJP5027OTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FJP5027OTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A |
на замовлення 1936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FJP5027OTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 71800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 174+ | 81.16 грн |
| FJP5027OTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.14 грн |
| 10+ | 69.47 грн |
| 100+ | 54.06 грн |
| 500+ | 43.00 грн |
| 1000+ | 35.03 грн |
| 2000+ | 32.98 грн |
| FJP5027OTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 71800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 89.11 грн |
| 100+ | 73.04 грн |
| 500+ | 61.77 грн |
| 1000+ | 47.64 грн |
| 2500+ | 43.48 грн |
| 5000+ | 40.28 грн |
| 10000+ | 38.02 грн |
| 25000+ | 37.60 грн |
| FJP5027OTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FJP5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FJP5027OTU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FJP5027OTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)