FJP5027OTU ON Semiconductor
на замовлення 60400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 37.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJP5027OTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJP5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FJP5027OTU за ціною від 30.12 грн до 93.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJP5027OTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 71800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FJP5027OTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FJP5027OTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 71800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FJP5027OTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FJP5027OTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FJP5027OTU Код товару: 139997
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
FJP5027OTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FJP5027OTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| FJP5027OTU | Виробник : ONSEMI |
FJP5027OTU NPN THT transistors |
товару немає в наявності |