Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FJP5027OTU за ціною від 32.42 грн до 144.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FJP5027OTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 15MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FJP5027OTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FJP5027OTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A |
на замовлення 1936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FJP5027OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJP5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FJP5027OTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.39 грн |
| 10+ | 71.24 грн |
| 100+ | 55.44 грн |
| 500+ | 44.10 грн |
| 1000+ | 35.92 грн |
| 2000+ | 33.82 грн |
| FJP5027OTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.92 грн |
| 10+ | 61.44 грн |
| 100+ | 47.65 грн |
| 500+ | 37.71 грн |
| 1000+ | 32.42 грн |
| FJP5027OTU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A
Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.50 грн |
| 10+ | 64.28 грн |
| 100+ | 49.27 грн |
| 500+ | 39.47 грн |
| 1000+ | 33.97 грн |
| FJP5027OTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FJP5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 144.72 грн |
| 12+ | 69.16 грн |
| 100+ | 60.44 грн |
| 500+ | 54.98 грн |
| 1000+ | 49.76 грн |




