FJP5200OTU onsemi

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 17A TO220-3
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FJP5200OTU onsemi

Description: TRANS NPN 250V 17A TO220-3, Power - Max: 80 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Current - Collector (Ic) (Max): 17 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FJP5200OTU

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	FJP5200OTU	Виробник : onsemi / Fairchild	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.